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          傳感器
                 

          壓力傳感器采用自主研發的技術,使用獨特的加工技術在SOI晶圓表面的250nm厚可加工材料層上制作出孤立的狀硅敏感電阻陣列,用絕緣膜電隔離技術替代了傳統的PN結電隔離技術,由于SOI芯片避免了PN隔離問題,相比于常規的擴散硅壓力傳感器,具有更好的穩定性,可以實現更高溫度下的壓力測量。

          這是SOI壓力傳感器的核心優勢所在。

          在封裝結構方面采用小體積充油式耐高溫高壓結構,充以特殊的保護液,并進行高寬溫區的老化和補償等,環境適用性強、可靠性高、穩定性好,從而保證了本產品的高性能。

          這種結構國內還沒有其他單位采用,因此具極高的競爭優勢。

          本產品國內首創,填補國內空白,不存在同類產品競爭問題。

          國內從事SOI壓力敏感器件研究單位基本沒有實用的、可以批量生產的產品。建于我院的傳感器國家工程研究中心,確立了我院壓力傳感器在國內的行業主導地位。目前同類SOI高溫系列壓力傳感器在武器和特種環境工業過程控制領域得以廣泛應用。產品填補國內空白。

          與國外同類產品相比,該產品具有更高的性價比、靈活的配套形式及我們優質的服務。
           
           
           
          硅電容壓力傳感器
             
             

           硅電容差壓傳感器采用硅電容差壓敏感芯片作為傳感元件,采用微機械加工技術自主設計制作,層迭對稱結構,采用差動電容原理檢測壓力信號,具有全固態,高精度,高可靠性,高穩定性,溫度范圍寬,溫度、靜壓影響小,單向過載特性優異,易于后部數字化處理等特點。

          它采用全不銹鋼殼體,316L隔離膜  片封裝、標準差壓容室接口?捎糜跍y量液體、氣體的差壓、流量等參數,可作為過程控制領域用差壓變送器的核心部件。廣泛應用于石油、化工、電力、冶金、輕工、食品、環保、鍋爐控制、帶壓容器測量等。

          復合壓力傳感器
           
              

              硅壓阻復合壓力傳感器采用硅集成壓阻芯片作為傳感元件,采用微機械加工技術自主設計制作,能夠同時實現對現場中的差壓、靜壓、溫度等參數進行測量,具有精度高、體積小、重量輕、穩定性好等特點。采用四膜片靜壓和過載保護結構,全不銹鋼殼體,316L隔離膜片封裝及標準差壓容室接口,可用來測量差壓、靜壓、流量、液位、溫度等參數,廣泛應用于石油、化工、電力、造紙等工業領域的測量與過程控制。

           

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